如何练好字的结构_如何练好字的结构

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创作时记不住字的结构?我有妙招,老师拿出压箱底的方法的结构处理。很多人在写写创作或者是自己写字离开字帖的时候总是会想不起自己所练字帖的字,今天就讲一下把平时练的字不记不住的人,很多人是记不住的,怎样创作?以这个字为例,大家看一下这个往字,这个往字是一个规范字,从创作的时候肯定是看规范字的。规范字对我们有什么指...

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三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“,授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错...

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长鑫存储取得字线引出结构及其制备方法专利,可以减小字线引出结构...金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“,授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示,本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法,在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线;形成沿Y轴方向...

金卡智能取得一种基于电容量判断字轮位置的计数结构专利,具有无...金融界2024年3月20日消息,据国家知识产权局公告,金卡智能集团股份有限公司取得一项名为“一种基于电容量判断字轮位置的计数结构“,授权公告号CN109540178B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示,本发明涉及计量计数技术领域,尤其涉及一种基于电容量判断字轮位置的计数...

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＋﹏＋ 长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度...

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o(?""?o 长鑫存储申请半导体专利,可以在形成字线的时候保护外围区的结构...形成字线,字线位于阵列区的基底内;形成间隔层,间隔层至少位于外围区的保护层的顶面;去除位于外围区的间隔层和保护层;形成栅介质层,栅介质层位于外围区的基底的顶面;形成栅极结构,栅极结构位于外围区的栅介质层的顶面。可以在形成字线的时候保护外围区的结构防止外围区的结...

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长鑫存储申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,增加字线结构所...第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构;形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽,目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空;于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加字线结构所占空间体...

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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,专利技术能有效提高字线...金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117835694A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括衬底和多条字线;多条字线均沿第一方向延伸...

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...至少有利于在降低半导体结构布局面积的同时,降低相邻字线之间的...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构“,公开号CN117316923A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公开实施例涉及半导体技术领域,提供一种半导体结构,半导体结构包括:若干沿第一方向延伸且沿第三方向间隔排布的字线;若干沿第二方向延伸且沿第三方向间隔排布的...

≥▽≤ 长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利,简化了水平字线的形成...形成晶体管结构于所述第一沟槽内,所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构;形成沿所述第二方向延伸的字线,所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺,降低了半导体...