什么叫做有源器件_什么叫做有源器件

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安徽格恩申请具有低俄歇复合量子阱的半导体发光器件的外延结构专利...本发明涉及一种具有低俄歇复合量子阱的半导体发光器件的外延结构。该外延结构,由下至上依次包括衬底、n型半导体、有源层和p型半导体,所述有源层为低俄歇复合量子阱,所述低俄歇复合量子阱为阱层和垒层组成的周期结构,周期数为1～50,所述低俄歇复合量子阱包括第一低俄歇复...

无需半导体材料的电子器件问世美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展:他们利用全3D打印技术,制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。这一突破性研究发表在新一期《虚拟与物理原型》杂志上,为将来的电子制造开辟了新途径。

≥＾≤ ...有源电感结构和片内集成有源电感专利,极大缩小电路成本和无源器件...到跳变信号时关闭,使跳变信号无法传输到输出端;电容模块与单向开关模块连接,用于在单向开关模块关闭时放电以维持输出端的电压。本发明的一种片内集成有源电感结构具有无源电感的特性,其能够隔离交流输入并能够进行功率传输,极大缩小了电路成本和无源器件所占的空间。

(=｀′=) 天孚通信10月24日创一年新高,盘中最高触及139.8元苏州天孚光通信股份有限公司主要从事光器件的研发、生产和销售。公司的主要产品包括光无源器件、光有源器件。依托公司建设的江苏省企业技术中心和工程技术中心,在氧化锆陶瓷、塑料、金属、玻璃等基础材料领域积累沉淀了多项全球领先的工艺、专利技术,形成了Mux/Demux耦...

华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利,改善 MOS 管漏电有限公司申请一项名为“闪存器件及其制备方法”的专利,公开号 CN 118765113 A,申请日期为 2024 年 6 月。专利摘要显示,本申请提供一种闪存器件及其制备方法,其中制备方法中,先进行逻辑区的刻蚀,后进行存储区的刻蚀,其中在逻辑区的有源区工艺中,先通过 ISSG 工艺在第一沟槽内...

天孚通信:800G产品配套的各类光无源、有源器件已在2023年实现批量...金融界7月1日消息,有投资者在互动平台向天孚通信提问:董秘你好,根据公司披露的信息,二季度公司产能问题开始缓解,那么请问一下公司800G,1.6T扩产和出货情况现在如何?公司回答表示:公司为800G产品配套的各类光无源、有源器件在2023年已经实现了批量交付,关于新产品方面,公...

↓。υ。↓ 天孚通信:800G产品配套的各类光无源、有源器件已于2023年实现批量...贵公司是业界领先的光器件整体解决方案提供商和先进光学封装制造服务商。看到公司产品介绍中有10/40/100G/400G以上光收发组件产品。请问,目前是否拥有800G以上光收发组件?是否在研发1.6T以上的产品?谢谢!公司回答表示:公司为800G产品配套的各类光无源、有源器件在202...

背靠背串联MOS,可以实现电流的双向流动吗?两个MOS管背靠背串联,就会组成双向开关。 双向开关 一种由MOSFET或者IGBT构建的有源器件,在上电后可以允许电流双向流动,并在断电时阻止双向电压流。它可以进行双向传导。 比如在这个A点开关施加正电压,B点施加负电压,电流从A流向B。但当电压极性改变,就可以让B流向A。...

卓胜微申请一种半导体器件的有源区形成方法专利,可有效减少有源层...金融界 2024 年 8 月 8 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的有源区形成方法“,公开号 CN202410360140.3,申请日期为 2024 年 3 月。专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域。本发明提供一种半导体器件的有源区形成...

博创科技:公司主要提供光纤网络中的有源和无源器件金融界12月18日消息,有投资者在互动平台向博创科技提问:请问贵公司产品能否用于AMD公司?公司回答表示:公司主要提供光纤网络中的有源和无源器件。本文源自金融界AI电报